半导体器件建模仿真与分析课程
课程简介半导体器件的建模和分析是器件设计的核心环节，熟练掌握器件的建模与分析方法，能够帮助我们更好地开展器件设计和分析工作，提高设计效率，缩短研发周期。 本课程将围绕半导体器件的建模与分析中的核心问题，借助 TCAD 仿真软件，从物理基础、器件模型、工艺过程、仿真建模与数据呈现等方面，进行 系统性和原理性的讲解，使得学习者能够快速搭建起系统的知识框架，快速掌握其中的核心原理与方法；辅助以有限元建模仿真、版图设计、数据处理等实操技能，以实例进行循序渐进的讲解，使学习者能够快速上手开展工作。 作者尝试用最短的时间帮助听课者建立系统的知识框架与技术能力，不仅追求“会用”软件，还要“懂得”其中蕴含的原理。
从2021年8月26日开课至今，课程进行了128个学时，后续课程进入工艺仿真的仿真模型阶段。一节课约2到3小时，深入剖析原理+详细的保姆式实操教学，让你快速懂得原理，快速上手。
目前课程还在更新中，后续敬请期待
内容展示
本课程将围绕半导体器件的建模和分析方法，以TCAD软件为例，从物理基础、数值方法到器件设计实现与验证的几个角度，对建模方法以及其中的原理进行讲解，使大家更清晰的理解我们所学、所用的半导体器件。 部分内容展示如下： Linux基础与软件安装
半导体物理基础简述
半导体器件物理基础简述
一个PN结的数值求解过程-使用python编程
半导体器件物理基础简述
Trench IGBT的建模与SWB的基本原理
TDR文件的后处理与SJ-LDMOS结构建模
FinFETNanosheet器件建模与随机涨落方法
网格划分基本概念与网格质量评价
MOSFET器件静态和瞬态特性求解
TCL编程与SVISUAL自动化数据处理
仿真中的物理模型概述
温度特性与温度模型
碰撞电离与击穿特性仿真
SPICE模型与混合模式
混合模式（二）修改SPICE模型参数丨SVISUAL动画自动生成
缺陷与辐照特性仿真
交流小信号分析
模型参数修改与新建材料(Ga2O3 MOSFET与SiGe Diode)
隧穿模型与隧穿器件
非完全电离/各向异性与SiC MOSFEET仿真
极化效应与GaN HEMT
sdevice求解流程、Math设置与收敛性调整思路
半导体工艺简述
版图绘制
工艺仿真基础
基于ICWBEV的工艺仿真，实现纵向和横向设计的完美分离，提高仿真效率
sprocrss结构生成（刻蚀、淀积）与MGOALS
离子注入仿真
蒙特卡洛离子注入
扩散模型与AdvancedCalibration
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