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ICP inductive coupled plasma CCP capacitive coupled plasma 字面意义上来讲，一个是电感耦合，一个电容式耦合。 历史发展角度，CCP早于ICP，ICP设备在上世纪90年代后产生。 从机理构造来说，因为产生plasma的方式区别，ICP设备可以做到电场在水平和垂直方向上的独立控制，可以做到真正意义上的De-couple。因为可以独立控制plasma密度以及轰击能量，对Fab process tunning来说，ICP无疑更受到欢迎。 而CCP设备不论如何改进，因为其电容耦合的方式，水平和垂直方向上的电场仍旧无法做到完全独立控制。（TEL的先进机型号称可以通过特殊的分频设计做到de-couple，这里不多做评论） 但经过建模分析和实际应用后发现，在Oxide深孔刻蚀方面，CCP对ICP仍有无可比拟的优势，尤其是选择比这一方面。各大设备商也不是没有想过用ICP来刻蚀oxide深孔，但最终都放弃了。 实际应用角度：刻蚀键能较大如oxide的物质，用CCP；刻蚀金属/多晶，ICP更好。 前道难点工艺，深硅槽刻fin这种，都还是要应用ICP。后段互联层挖深孔刻lowk这种，还是要用到CCP。 具体设备选型，要结合实际刻蚀layer的材料，现有工艺benchmark，成本、产能综合考虑。
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