昨日，2023年慕尼黑电子展在上海开幕，近30余家国产碳化硅企业组团亮相。逾50家公司展示了碳化硅产品。慕尼黑电子展一直以来被称为“电子行业风向标”，近两年国产碳化硅的产业链真正发展并走向成熟，下面我们云逛一下这次展会现场的碳化硅企业展台：
五十五所：SiC器件及模组产品亮相
本次展会上，国基南方携射频 GaN功率器件、声表滤波器、siC功率芯片与模块、FRED芯片、微显示OLED器件与模组、AR眼镜等多种产品参展。
日前，公司对外官宣国电科国基南方、55所研制的新能源汽车用650V-1200V碳化硅MOSFET出货量突破1200万只，实现大批量稳定供货。
公司表示，国基南方、55所持续推进新能源汽车用碳化硅MOSFET关键核心技术攻关和产业化应用，贯通碳化硅衬底、外延、芯片等全产业链量产平台，率先在新能源汽车、光伏、智能电网等领域规模化应用，累计保障超过160万辆新能源汽车应用需求。
基本半导体：
第二代SiC MOSFET、Pcore2 E2BSiC功率模块、门极驱动芯片
展会现场，基本半导体正式发布公司第二代SiC MOSFET产品、工业级碳化硅功率模块——PcoreTM2 E2B模块以及门极驱动芯片系列新品, 进一步完善公司产品阵容。
为更好满足工业客户对于高功率密度的需求，基本半导体推出兼容EasyPACKTM 2B封装的工业级全碳化硅 MOSFET 功率模块PcoreTM2 E2B，
基本半导体第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圆平台进行开发，比上一代产品在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面表现更为出色。
基本半导体针对多种应用场景研发推出门极驱动芯片，绝缘最大浪涌耐压可达8000V，驱动峰值电流高达正负15A，可支持耐压1700V以内功率器件的门极驱动需求。
泰科天润：首次展出1200V 80mΩ SiC MOSFET
泰科天润在本次展会上首次展出来公司的1200V 80mΩ SiC MOSFET、650V60A混合单管和2000V系列产品。
1200V 80mΩ SiC MOSFET具有更低的导通电阻，更低的开关损耗，更高的开关频率，更高的工作温度，Vth典型值超过3V。
公司已实现六寸碳化硅晶圆，稳定量产交付。
上海瀚薪： 新一代650V/1200V更低内阻的碳化硅MOSFET平台产品
今年，瀚薪在慕尼黑上海展上推出我们新一代650V/1200V更低内阻的碳化硅MOSFET平台，650V达到13mΩ，1200V达到18mΩ，同时还有1700V 500mΩ的新产品应用于光储充辅源方案。
此外，瀚薪推出了拥有自主专利并且系国内唯一的顶部散热封装—T2PAK，T2PAK封装体的尺寸加大，能够应用于更高功率操作的器件。
传统的封装体，其漏极端直接焊接在PCB板上，导热特性不够理想，采用新型的顶部散热封装形式，能够在封装体顶部额外连接散热片，显著提高器件的散热能力，大幅提升散热效率，降低散热成本，适用于自动化的SMD贴片封装等对可靠性要求比较高的场景，真正助力于提升系统的稳定性、一致性。
瞻芯电子：650V-1700V平台的碳化硅(SiC)MOSFET、肖特基二极管及功率模块产品
瞻芯电子本次在展会现场展示来公司全系列碳化硅功率半导体和芯片产品。重点围绕新能源汽车应用、光伏与储能、充电桩领域，展示适用的碳化硅(SiC)MOSFET、碳化硅(SiC)二极管和功率模块，以及驱动芯片和参考设计方案。
目前，瞻芯电子已开发量产了650V-1700V平台的碳化硅(SiC)MOSFET、肖特基二极管及功率模块产品，规格参数齐全，且有多种贴片、插件、模块封装。
同时，围绕碳化硅应用，开发了多种系列栅极驱动芯片，包括SiC专用驱动、通用驱动、隔离型驱动。此外，瞻芯电子首创了一系列CCM模拟控制芯片。
瑞能半导体：工业，光伏储能以及新能源汽车相关方向的全域功率半导体解决方案
本届慕尼黑上海电子展，瑞能半导体展出了包括碳化硅器件组合，Si-MOSFET, 可控硅与功率二极管，IGBT 等功率分立器件，以及各类型功率模块如双极性功率模块，碳化硅模块，IGBT模块。丰富的产品系列能覆盖光伏储能，工业以及新能源汽车应用的方方面面，更可以针对客户的需求提供定制化的解决方案。
在三代半导体领域，瑞能持续研发并推出多种碳化硅(SiC)半导体器件，累计出货量累计达4000万颗。目前，瑞能SiC二极管产品已完成六代产品开发，拥有1.26V超低Vf。第二代SiC MOSFET产品已实现业内最低比导电阻: Ron,sp=2.6mΩ·cm2。目前正在进行第三代trench gate产品开发。
湖南三安：自主开发的SiC MOSFET产品和工艺平台备受瞩目
三安半导体在本次展会上，围绕汽车电子、光储充、工业控制、消费电子等应用领域，全面展示了其碳化硅、氮化镓全产业链产品和创新技术。
展会现场展示了最新的产品系列，包括SiC MOSFET、SiC Schottky二极管和GaN HEMT等关键器件，其中自主开发的SiC MOSFET产品和工艺平台备受关注。
爱仕特：第三代碳化硅MOSFET及模块新品
展会现场，深圳爱仕特携第三代碳化硅MOSFET系列新品以及全系车规级碳化硅功率模块、功率器件驱动器等产品亮相：
15V驱动电压，爱仕特第三代碳化硅MOSFET系列产品
爱仕特新一代汽车级DCS12封装SiC模块
目前，爱仕特公司产品涵盖电压650V-3300V、电流5A-150A的SiC MOS芯片，高功率低耗损的SiC模块，以及基于SiC模块的整机应用系统方案，各项性能指标达到国际水平，提供各类规格参数的SiC MOS定制化服务，满足不同行业需求。
瑶芯微：最小达到16mΩ碳化硅MOSFET芯片
瑶芯微此次带来参展的碳化硅产品覆盖650V、1200V、1700V，最小达到16mΩ，拥有更低的开关损耗、更高的可靠性和更安全的供应链，以及先进的设计能力，产品关键指标和国际一线品牌持平。
瑶芯微SiC MOSFET 有着丰富的技术积累及出色的制造工艺，可实现应用中的最低损耗和运行中的最高可靠性,非常适合硬开关和谐振开关拓扑。
清纯半导体：高可靠性车规级SiC MOSFET
清纯半导体是目前国内极少数能够在SiC器件核心性能和可靠性方面达到国际一流水平、并且基于国内产线量产车规级SiC MOSFET的企业之一，相关产品已经在新能源发电、新能源汽车等领域得到广泛应用。
（篇幅有限，明天整理发布第二批）
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