60万片！又一SiC项目开工

昨天（7月2日），乾晶半导体发文称，他们正在建设碳化硅衬底项目，目标产能60万片/年。
该公司表示，他们在上海展会上展示了6英寸和8英寸碳化硅晶锭和衬底产品，其中6英寸晶锭和衬底在杭州实验线已小批量供货。随着衢州生产基地项目一期到三期的分批建成，明年开始乾晶将逐步实现年产60万片碳化硅6-8英寸衬底供给能力。
据“行家说三代半”了解，今年4月12日，乾晶半导体已经举行了“碳化硅项目”的开工仪式。

据介绍，该项目年产60万片碳化硅衬底材料，总占地面积22亩，总建筑面积约19000平方米，第一期总投资约3亿元，计划建成碳化硅6/8英寸单晶生长和衬底加工的中试基地。第一期项目将在2023年底具备设备搬入条件。
乾晶半导体早有扩产预兆。今年1月，乾晶半导体完成亿元Pre-A轮融资，本轮融资将用于碳化硅衬底的技术创新和批量生产。
乾晶半导体脱胎于浙江大学杭州国际科创中心，技术方面，2022年7月，他们成功生长出了厚度达到50 mm的6英寸碳化硅单晶；2023年5月，他们生长了厚度达27毫米的8英寸n型碳化硅单晶锭。
此外，乾晶半导体也在研发液相法碳化硅长晶技术。6月30日，杭州国创中心官网发布了《感应式碳化硅单晶生长液相炉采购信息》 。

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