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1、事关国产芯片，又一突破！记者6月29日从中国电子科技集团获悉，该集团旗下中电科电子装备集团有限公司（简称电科装备）已实现离子注入装备28纳米工艺制程全覆盖，有力保障我国集成电路制造行业在成熟制程领域的产业安全。
研发人员正在调试离子注入机中国电科供图
据悉，离子注入机是芯片制造中的关键装备，28纳米则是当前芯片应用领域中覆盖面最广的成熟制程。
电科装备连续突破光路、控制、软件等关键模块的核心技术，形成中束流、大束流、高能及第三代半导体等全系列离子注入机产品格局，实现了28纳米工艺制程全覆盖，切实保障中国“芯”的生产制造。
据了解，作为国内最早从事离子注入设备研制及产业化的企业，电科装备已具备从产品设计到量产应用的完整研制体系，产品涵盖逻辑、存储、功率器件、传感器等工艺器件，百台设备广泛应用于国内各大集成电路先进产线，累计流片量超2000万片，有力提升我国产业链供应链韧性和安全水平。
2、国家集成电路设计自动化技术创新中心揭牌
6月29日，国家集成电路设计自动化技术创新中心（以下简称“EDA国创中心”）揭牌仪式及理事会第一次会议在南京举行。副省长胡广杰、市长陈之常、东南大学校长黄如发表讲话。市领导杨学鹏、吴炜参加。
EDA国创中心由东南大学、南京江北新区牵头，联合EDA领域骨干企业、高校、科研院所等优势资源参与共建。胡广杰对EDA国创中心成立表示祝贺。他说，集成电路产业是我省具有较强竞争力的优势产业之一，已形成覆盖设计、制造、封测、设备、材料等环节较为完整的产业链，产业规模连续多年位居国内首位。EDA国创中心的揭牌运行，将有力支撑我国集成电路产业高质量发展。
胡广杰要求，国创中心要聚焦关键核心技术攻关，构建产学研生态体系，凝练重大科研任务，着力聚集研发人才；要着力突破下一代智能EDA技术等产业共性技术，实现部分领域、关键环节自主可控，着力提升产业链供应链韧性和安全水平；要提高先进工艺支撑能力，着力推动我国集成电路产业创新能力整体跃升。省有关部门要强化服务保障，加强对国创中心建设运行的指导和服务，帮助协调解决国创中心建设发展中的实际困难。
陈之常说，南京高度重视EDA国创中心建设，在载体服务、人才引进、生态打造等方面制定了保障措施。下一步，我们将突出校地融合，充分发挥东南大学和南京资源优势，用好国创中心平台，有效整合集成电路设计自动化领域各方资源；突出科产融合，推动创新链、产业链、资金链、人才链深度融合，着力解决一批基础理论和技术原理问题，聚力产出一批高水平标志性科技成果，更好带动产业集聚集群发展；突出行业融合，积极探索新型会员模式，开展共性技术难题攻关，强化行业内部创新资源融合共享，形成多方共建共治共享的治理结构。希望国创中心加快实体化运作，在理事会领导下高效执行、快速起跑，全力推动各项工作有序开展，真正把国创中心建设成为集成电路设计自动化产业的技术发源地、产品示范地和人才汇聚地。
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