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ICP (Inductively Coupled Plasma)是一种高功率高密度等离子体刻蚀技术，适用于导体材料的刻蚀。该技术利用高频电场激发气体放电产生等离子体，在网络状电极中加入高频电源，产生高密度等离子体，能够快速刻蚀导电材料。 CCP (Capacitively Coupled Plasma)是一种低功率低密度等离子体刻蚀技术，适用于介质材料的刻蚀。该技术利用静电场和交流电场的作用产生等离子体，通过电容耦合将交流电场传递到气体中，从而激发等离子体刻蚀介质材料。 Remote source技术是一种自由基高选择比刻蚀技术，适用于硅材料的刻蚀。该技术通过将气体离子化，利用离子源产生大量自由基和反应物质，在低压条件下将反应物质注入刻蚀室中，实现高效而准确的刻蚀。 
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